晶體尺寸：10毫米 電學性能：半導體 晶體結構：斜方晶系 晶胞參數：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量
SnS2 二硫化錫晶體
TaS2 (2H-pha
MoS2 二硫化鉬晶體（
PbSnS2 硫化錫鉛(
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