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硫化鎵晶體 GaS(Gallium Sulfide)
晶體尺寸：~10毫米
電學性能：半導體
晶體結構：六邊形
晶胞參數：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
